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0.5微米氮化硼

石墨烯（graphene）和六方氮化硼（h-BN）結構相似但電學性質(zhì)迥異。由于石墨烯/六方氮化硼平面異質(zhì)結在基礎研究和器件探索方面具有重要潛力，因而備受學術界關注。graphene/h-BN平面異質(zhì)結的制備一般采用依次沉積石墨烯和h-BN，或者相反次序來實現(xiàn)，由于后續(xù)薄膜形核控制困難以及生長過程中反應氣體很容易對前序薄膜產(chǎn)生破壞，因而目前文獻報告graphene/h-BN平面異質(zhì)結的質(zhì)量不盡如人意。中科院上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點實驗室的盧光遠、吳天如等人基于銅鎳合金襯底生長高質(zhì)量h-BN和石墨烯薄膜的研究基礎，通過先沉積h-BN單晶后生長石墨烯，成功制備了高質(zhì)量石墨烯/h-BN平面異質(zhì)結。

由于銅鎳合金上石墨烯生長速度極快，較短的石墨烯沉積時間減小了對石墨烯薄膜生長過程中對h-BN薄膜的破壞。同時由于銅鎳合金優(yōu)異的催化能力，在提高氮化硼單晶結晶質(zhì)量的同時消除了石墨烯的隨機成核，使得石墨烯晶疇只在三角狀h-BN單晶疇的頂角處形核并沿著h-BN邊取向生長。課題組與美國萊斯大學Jun Lou教授等團隊合作，利用合作培養(yǎng)博士研究生計劃，在高質(zhì)量石墨烯/h-BN平面異質(zhì)結的基礎上，以石墨烯作為接觸電極，h-BN作為絕緣襯底，制備了WSe2/MoS2二維光電探測器，驗證了石墨烯/h-BN平面異質(zhì)結的質(zhì)量和電學性能，為基于該異質(zhì)結材料平臺開展基礎研究和二維邏輯集成電路應用探索提供了基礎。